參數(shù)資料
型號: IRG4BC20K-SPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: Short Circuit Rated UltraFast IGBT
中文描述: 短路額定IGBT的超快速
文件頁數(shù): 5/9頁
文件大小: 310K
代理商: IRG4BC20K-SPBF
www.irf.com
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0
10
20
30
40
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
V
I
= 400V
= 9.0A
CC
C
0
10
R , Gate Resistance (Ohm)
, 6*,8
20
30
40
50
0.2
0.3
0.4
0.5
T
V = 480V
V = 15V
T = 25 C
I = 9A
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
0.1
1
10
T , Junction Temperature ( C )
T
R = Ohm
V = 15V
V = 480V
I = A
I = A
9
I = A
W
1
10
100
0
200
400
600
800
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ce
f = 1MHz
+ C
gc ,
+ C
C SHORTED
GE
ies
res
oes
ge
gc
gc
C
ies
C
oes
C
res
W )
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC20KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4BC20K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20MDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4BC20SD-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIOD
IRG4BC20UD-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC20K-STRL 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 10.000A D2PAK / IGBT : JA / DISCRET
IRG4BC20K-STRLP 功能描述:IGBT ULT FAST 600V 16A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC20K-STRRP 功能描述:IGBT 模塊 600V 10A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG4BC20MD 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=11A)
IRG4BC20MDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube