參數(shù)資料
型號: IRG4BC20K-S
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
中文描述: 絕緣柵雙極晶體管(VCES和\u003d 600V電壓的Vce(on)典型.\u003d 2.27V,@和VGE \u003d 15V的,集成電路\u003d 9.0,9.0)
文件頁數(shù): 8/10頁
文件大小: 222K
代理商: IRG4BC20K-S
IRG4BC20FD
8
www.irf.com
Same type
D.U.T.
430μF
80%
Fig. 18a
-
Test Circuit for Measurement of
I
LM
, E
on
, E
off(diode)
, t
rr
, Q
rr
, I
rr
, t
d(on)
, t
r
, t
d(off)
, t
f
t1
Ic
Vce
t1
t2
90% Ic
10% Vce
td(off)
tf
Ic
5% Ic
t1+5μS
Vce ic dt
90% Vge
+Vge
Eoff =
Fig. 18b
-
Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a, Defining
E
off
, t
d(off)
, t
f
Vce ie dt
t1
t2
5% Vce
Ic
Ipk
Vcc
10% Ic
Vce
t1
t2
DUT VO LTAGE
AND CURRENT
GATE VOLTAGE D.U.T.
+Vg
10% +Vg
90% Ic
tr
td(on)
DIO DE REVERSE
RECOVERY ENERGY
tx
10% Vcc
Eon =
Erec =
t4
t3
Vd id dt
t4
t3
DIODE RECOVERY
W AVEFO RMS
Ic
Vpk
Irr
10% Irr
Vcc
trr
Q rr =
trr
tx
id dt
Ic dt
Fig. 18c
-
Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a,
Defining E
on
, t
d(on)
, t
r
Fig. 18d
-
Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a,
Defining E
rec
, t
rr
, Q
rr
, I
rr
Vce Ic dt
相關PDF資料
PDF描述
IRG4BC20KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20KS INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20MD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=11A)
IRG4BC20MDS INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=11A)
IRG4BC20SD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRG4BC20K-STRL 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 10.000A D2PAK / IGBT : JA / DISCRET
IRG4BC20K-STRLP 功能描述:IGBT ULT FAST 600V 16A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC20K-STRRP 功能描述:IGBT 模塊 600V 10A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG4BC20MD 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=11A)