參數(shù)資料
型號： IRG4BC20FD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.66V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 9.0,9.0）
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代理商： IRG4BC20FD
IRG4BC20FD
2
www.irf.com
Parameter
Q
g
Total Gate Charge (turn-on)
Qge
Gate - Emitter Charge (turn-on)
Q
gc
Gate - Collector Charge (turn-on)
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn-On Switching Loss
E
off
Turn-Off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
ts
Total Switching Loss
L
E
Internal Emitter Inductance
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
t
rr
Diode Reverse Recovery Time
Min. Typ. Max. Units
—
27
—
4.2
—
9.9
—
43
—
20
—
240
—
150
—
0.25
—
0.64
—
0.89
—
41
—
22
—
320
—
290
—
1.35
—
7.5
—
540
—
37
—
7.0
—
37
—
55
—
3.5
—
4.5
—
65
—
124
—
240
—
210
Conditions
I
C
= 9.0A
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
I
C
= 9.0A, V
CC
= 480V
V
GE
= 15V, R
G
= 50
Energy losses include "tail" and
diode reverse recovery.
See Fig. 9, 10, 18
40
6.2
15
—
—
360
220
—
—
1.3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
55
90
5.0
8.0
138
360
—
—
nC
See Fig. 8
ns
mJ
T
J
= 150
°
C, See Fig. 11, 18
I
C
= 9.0A, V
CC
= 480V
V
GE
= 15V, R
G
= 50
Energy losses include "tail" and
diode reverse recovery.
Measured 5mm from package
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
= 1.0MHz
T
J
= 25
°
C See Fig.
T
J
= 125
°
C 14 I
F
= 8.0A
T
J
= 25
°
C See Fig.
T
J
= 125
°
C 15 V
R
= 200V
T
J
= 25
°
C See Fig.
T
J
= 125
°
C 16 di/dt = 200A/μs
T
J
= 25
°
C See Fig.
T
J
= 125
°
C 17
ns
mJ
nH
pF
See Fig. 7
ns
I
rr
Diode Peak Reverse Recovery Current
A
Q
rr
Diode Reverse Recovery Charge
nC
di
(rec)M
/dt
Diode Peak Rate of Fall of Recovery
During t
b
A/μs
Parameter
V
(BR)CES
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V
(BR)CES
/
T
J
Temperature Coeff. of Breakdown Voltage
V
CE(on)
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Min. Typ. Max. Units
600
—
—
0.72
—
1.66
—
2.06
—
1.76
3.0
—
—
-11
2.9
5.1
—
—
—
—
1700
—
1.4
—
1.3
—
—
±100
Conditions
V
GE
= 0V, I
C
= 250μA
V
GE
= 0V, I
C
= 1.0mA
I
C
= 9.0A
I
C
= 16A
I
C
= 9.0A, T
J
= 150
°
C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA
V
CE
= 100V, I
C
= 9.0A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V, T
J
= 150
°
C
I
C
= 8.0A
I
C
= 8.0A, T
J
= 150
°
C
V
GE
= ±20V
—
—
2.0
—
—
6.0
—
—
250
V
V/
°
C
V
GE
= 15V
See Fig. 2, 5
V
V
GE(th)
V
GE(th)
/
T
J
Temperature Coeff. of Threshold Voltage
g
fe
Forward Transconductance
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
Gate Threshold Voltage
mV/
°
C
S
μA
V
FM
Diode Forward Voltage Drop
1.7
1.6
V
See Fig. 13
I
GES
Gate-to-Emitter Leakage Current
nA
Switching Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
相關PDF資料
PDF描述
IRG4BC20FD-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20FD-STRL CAP 0.01UF 25V 10% X7R SMD-0508 TR-7 PLATED-NI/SN
IRG4BC20KDS CAP 50UF 5.5V +80-20% SUPERCAP EXT-SO ULTRA-LOWESR HIGH-PWR
IRG4BC20UDS 320 x 240 pixel format, LED or CFL Backlight
IRG4BC20K-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC20FDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BC20FDPBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRG4BC20FD-S 功能描述:IGBT FAST 600V 16A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC20FD-SPBF 功能描述:IGBT N-CH W/DIODE 600V 16A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC20FD-STRL 功能描述:IGBT FAST 600V 16A LEFT D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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