參數資料
型號： IRG4BC20FD-S
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.66V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 9.0,9.0）
文件頁數： 7/10頁
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代理商： IRG4BC20FD-S
IRG4BC20FD
www.irf.com
7
Fig. 14
- Typical Reverse Recovery vs. di
f
/dt
Fig. 15
- Typical Recovery Current vs. di
f
/dt
Fig. 16
- Typical Stored Charge vs. di
f
/dt
Fig. 17
- Typical di
(rec)M
/dt vs. di
f
/dt
0
100
200
300
400
500
100
1000
di /dt - (A/μs)
R
Q
I = 16A
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
100
1000
10000
100
1000
di /dt - (A/μs)
d
I = 16A
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
0
20
40
60
80
100
100
1000
dif
t
r
I = 16A
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
1
10
100
100
1000
di /dt - (A/μs)
I
I
I = 16A
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
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PDF描述
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IRG4BC20KDS CAP 50UF 5.5V +80-20% SUPERCAP EXT-SO ULTRA-LOWESR HIGH-PWR
IRG4BC20UDS 320 x 240 pixel format, LED or CFL Backlight
IRG4BC20K-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
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參數描述
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IRG4BC20FD-STRL 功能描述:IGBT FAST 600V 16A LEFT D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC20FDSTRLP 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 16A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
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IRG4BC20FDSTRRP 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 16A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
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