參數資料
型號： IRG4BC10UDPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISROT WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE UltraFast CoPack IGBT
中文描述： 絕緣柵雙極TRANSISROT索夫爾與超快恢復二極管超快速IGBT的CoPack
文件頁數： 3/11頁
文件大小： 328K
代理商： IRG4BC10UDPBF
www.irf.com
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0.1
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f, Frequency (KHz)
L
!" #
829:(
;
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& %
For both:
Duty cycle: 50%
T = 125°C
T = 90°C
Gate drive as specified
Power Dissipation = W
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V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 25 C
o
T = 150 C
o
60% of rated
voltage
I
Ideal diodes
Square wave:
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1
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V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
o
T = 150 C
o
相關PDF資料
PDF描述
IRG4BC15MD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.88V, @Vge=15V, Ic=8.6A)
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IRG4BC15UD-L INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.02V, @Vge=15V, Ic=7.8A)
IRG4BC15UD-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.02V, @Vge=15V, Ic=7.8A)
IRG4BC15UD-LPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIOD
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