型號(hào): | IRG4BC10SD-S |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | 16 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
中文描述: | 絕緣柵雙極型晶體管,超快軟恢復(fù)二極管(VCES和\u003d 600V電壓的Vce(on)典型.\u003d 1.10V,@和VGE \u003d 15V的,集成電路\u003d 2.0安培) |
文件頁數(shù): | 5/12頁 |
文件大小: | 217K |
代理商: | IRG4BC10SD-S |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRG4BC10SDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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IRG4BC15MD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.88V, @Vge=15V, Ic=8.6A) |
IRG4BC15UD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.02V, @Vge=15V, Ic=7.8A) |
IRG4BC15UD-L | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.02V, @Vge=15V, Ic=7.8A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRG4BC10SD-SPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V DC-1kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IRG4BC10SD-STRL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB |
IRG4BC10SD-STRR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB |
IRG4BC10SPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IRG4BC10UD | 制造商:International Rectifier 功能描述:SEMICONDUCTOR ((NS)) |