型號(hào): | IRG4BAC50S |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(標(biāo)準(zhǔn)速度絕緣柵型雙極型晶體管) |
中文描述: | 絕緣門雙極晶體管(IGBTs)(標(biāo)準(zhǔn)速度絕緣柵型雙極型晶體管) |
文件頁(yè)數(shù): | 7/8頁(yè) |
文件大小: | 135K |
代理商: | IRG4BAC50S |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRG4C30W-S | |
IRG4CC10KB | |
IRG4CC10SB | |
IRG4CC10UB | |
IRG4CC20FB | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | CHIP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRG4BAC50U | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
IRG4BAC50W | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
IRG4BAC50W-S | 功能描述:DIODE IGBT 600V SUPER 220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
IRG4BAC50W-SPBF | 功能描述:IGBT N-CHAN 600V 55A SUPER220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
IRG4BC10K | 功能描述:IGBT UFAST 600V 9.0A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |