參數(shù)資料
型號: IRFZ34VPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大?。?/td> 183K
代理商: IRFZ34VPBF
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
()
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
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-
-
-
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For N-channel
HEXFET
power MOSFETs
相關PDF資料
PDF描述
IRFZ44NLPBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRFZ44NSPBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRFZ44PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFZ44RPBF HEXFET Power MOSFET
IRFZ44R Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=50*A)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFZ34VS 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Advanced Process Technology
IRFZ34VSPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 60V 30A D2-PAK
IRFZ35 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-220AB
IRFZ40 功能描述:MOSFET N-Chan 50V 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ40FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS