參數(shù)資料
型號(hào)： IRFZ24A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 60V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 17 A, 60 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/7頁(yè)
文件大?。?/td> 219K
代理商： IRFZ24A
IRFZ24A
BV
DSS
= 60 V
R
DS(on)
= 0.07
I
D
= 17 A
60
17
12
68
±
20
149
17
4.4
5.5
44
0.29
- 55 to +175
300
3.43
--
62.5
--
0.5
--
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
175
°
C Operating Temperature
Lower Leakage Current: 10
μ
A (Max.) @ V
DS
= 60V
Lower R
DS(ON)
: 0.050
μ
(Typ.)
$GYDQFHG 3RZHU 026)(7
Thermal Resistance
Junction-to-Case
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
°
C/W
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25
°
C)
Continuous Drain Current (T
C
=100
°
C)
Drain Current-Pulsed
(1)
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(2)
Avalanche Current
(1)
Repetitive Avalanche Energy
(1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(3)
Total Power Dissipation (T
C
=25
°
C)
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8 from case for 5-seconds
Characteristic
Value
Units
V
Symbol
V
DSS
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, T
STG
T
L
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
°
C
A
°
C
TO-220
1.Gate 2. Drain 3. Source
3
2
1
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRL610A 200V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRL610 SWITCH,THM,STR,SPST,NO,12MM SQ
IRL630A 200V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRL640A 200V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRLI610A ADVANCED POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFZ24L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 17A TO-262 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ24LPBF 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFZ24N 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)
IRFZ24N,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A SOT78 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ24NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 17A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube
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