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參數(shù)資料
| 型號： | IRFZ24-019 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 17 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 166K |
| 代理商： | IRFZ24-019 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ48-017PBF | 50 A, 60 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRGAC50F | 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-204AE |
| IRH3054 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
| IRH4054 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
| IRKH72/10A | 117.75 A, 1000 V, SCR, TO-240AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IRFZ24LPBF | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFZ24N | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A) |
| IRFZ24N,127 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A SOT78 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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