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IRFZ14STRL	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-263AB
IRFZ14STRR	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-263AB
IRFZ15	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 8.3A I(D) \| TO-220AB
IRFZ30	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-220AB
IRFZ32	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| 25A I(D) \| TO-220AB

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IRFZ14S/L	制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Advanced Process Technology / Surface Mount (IRFZ14S)
IRFZ14SPBF	功能描述:MOSFET N-Chan 60V 10 Amp 200mohm @ 10V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRFZ14STRLPBF	功能描述:MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK RoHS:是類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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IRFZ14S/L

制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Advanced Process Technology / Surface Mount (IRFZ14S)

IRFZ14SPBF

功能描述:MOSFET N-Chan 60V 10 Amp 200mohm @ 10V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IRFZ14STRL

功能描述:MOSFET N-Chan 60V 10 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IRFZ14STRLPBF

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IRFZ14STRR

功能描述:MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK RoHS:否類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件

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型號(hào)：	IRFZ14S
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-263AB
中文描述：	晶體管\| MOSFET的\| N溝道\| 60V的五（巴西）直\| 10A條（?。﹟對(duì)263AB
文件頁(yè)數(shù)：	5/5頁(yè)
文件大?。?/td>	279K
代理商：	IRFZ14S

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