型號: | IRFY9240M |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7.7A I(D) | TO-220 |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| P通道| 200伏五(巴西)直| 7.7AI(四)|至220 |
文件頁數(shù): | 1/12頁 |
文件大小: | 619K |
代理商: | IRFY9240M |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFY9310F | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | TO-220VAR |
IRFY1310M-T257 | N-Channel Power MOSFET For HI-REL Application(Vds:100V,Id(max):14A,Rds(on):0.055Ω)(N溝道功率MOS場效應(yīng)管,HI-REL應(yīng)用(Vds:100V,Id(max):14A,Rds(on):0.055Ω)) |
IRFY1310M-T257 | N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS |
IRFY210 | N-Channel |
IRFY210C | N-Channel |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRFY9310F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | TO-220VAR |
IRFZ 48NPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Bulk |
IRFZ10 | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFZ10_11 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
IRFZ10PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |