參數(shù)資料
型號： IRFW740S
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 400V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 239K
代理商： IRFW740S
IRFW740S
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by R
G
I
S
controlled by Duty Factor D
V
DD
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFWI530A Advanced Power MOSFET
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IRFWZ24 60V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管)
IRFWZ34 60V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管)
IRFWZ44 60V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為60V的N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
IRFW740TM 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
IRFW820A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-263AB
IRFW820B 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
IRFW820BTM 功能描述:MOSFET 500V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFW830A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-263AB
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