參數(shù)資料
型號： IRFW634B
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 250V N-Channel MOSFET
中文描述： 8.1 A, 250 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 649K
代理商： IRFW634B
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, November 2001
I
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFI634 250V N-Channel MOSFET
IRFI634B 250V N-Channel MOSFET
IRFW720S N-Channel Power MOSFET（400V，1.8Ω，3.3A）(N溝道功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓400V，導(dǎo)通電阻1.8Ω，漏電流3.3A）)
IRFW740S 400V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管)
IRFWI530A Advanced Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFW634BTM_FP001 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFW634BTMFP001 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFW640 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
IRFW640A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB
IRFW640B 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*