參數(shù)資料
型號： IRFW630B
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V N-Channel MOSFET
中文描述： 9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 648K
代理商： IRFW630B
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. C, December 2002
I
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFI630B 200V N-Channel MOSFET
IRFW634B 250V N-Channel MOSFET
IRFI634 250V N-Channel MOSFET
IRFI634B 250V N-Channel MOSFET
IRFW720S N-Channel Power MOSFET（400V，1.8Ω，3.3A）(N溝道功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓400V，導(dǎo)通電阻1.8Ω，漏電流3.3A）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFW630BTM_FP001 功能描述:MOSFET 200V N-Ch B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFW634A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8.1A I(D) | TO-263AB
IRFW634B 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
IRFW634BTM_FP001 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFW634BTMFP001 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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