參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU9120
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 5.6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(5.6A, 100V, 0.600 Ω, P溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 73K
代理商： IRFU9120
4-87
FIGURE 12. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
NOTE: Refer to Intersil Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 13. NORMALIZED SWITCHING WAVEFORMS FOR
CONSTANT GATE CURRENT
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
FIGURE 16. RESISTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 17. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
400
300
200
100
0
0
-5
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
-10
-15
-20
-25
C
600
C
ISS
C
OSS
500
C
RSS
V
GS
= 0V, f = 0.1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
-100
-80
-60
-20
0
-10
-8
-6
-2
0
20
I
G(REF)
I
G(ACT)
80
I
G(REF)
I
G(ACT)
t, TIME (
μ
s)
V
DD
=BV
DSS
V
DD
= BV
DSS
R
L
= 1.2
I
G(REF)
= -1.0mA
V
GS
= -10V
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
V
D
,
V
G
,
-4
-40
t
P
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
GS
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
V
GS
R
L
R
G
DUT
+
-
V
DD
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
t
ON
10%
0
IRFR9120, IRFU9120
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR9120 5.6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(5.6A, 100V, 0.600 Ω, P溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRL80 GaAs-Infrarot-Sendediode GaAs Infrared Emitter
IRL80A GaAs-Infrarot-Sendediode GaAs Infrared Emitter
IRL81 GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs Infrared Emitter
IRL81A GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs Infrared Emitter
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU9120_R4941 功能描述:MOSFET TO-251 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU9120N 功能描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU9120NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
IRFU9120NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -100V -6.5A 480mOhm 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU9120PBF 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*