參數(shù)資料
型號： IRFU3704PbF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 227K
代理商： IRFU3704PBF
IRFR/U3704PbF
2
www.irf.com
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Min
20
–––
–––
–––
1.0
–––
–––
–––
–––
Typ
–––
0.021
7.3
11
–––
–––
–––
–––
–––
Max Units
–––
–––
9.5
14
3.0
10
100
200
-200
V
V/°C
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
g
fs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Q
OSS
Output Gate Charge
R
G
Gate Resistance
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
Avalanche Characteristics
Symbol
Parameter
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
I
AR
Avalanche Current
Diode Characteristics
Symbol
Parameter
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
V
SD
Diode Forward Voltage
Min
42
–––
–––
–––
–––
0.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ
–––
19
8.1
6.4
16
–––
8.4
98
12
5.0
1996
1085
155
Max Units
–––
–––
–––
–––
24
3.2
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
V
GS
= 0V, V
DS
= 10V
ns
Units
mJ
A
Min
Typ
Max Units
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.88
0.82
38
45
41
50
1.3
–––
57
68
62
75
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
ns
nC
ns
nC
pF
A
V
–––
–––
75
–––
–––
300
m
μA
nA
V
GS
= 4.5V, I
D
= 12A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
T
J
= 125°C, I
F
= 35.5A, V
R
= 20V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 125°C, I
S
= 35.5A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 35.5A, V
R
= 20V
di/dt = 100A/μs
Conditions
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 35.5A, V
GS
= 0V
= 1.0MHz
216
71
MOSFET symbol
Max
Typ
–––
–––
Conditions
V
DS
= 25V, I
D
= 57A
I
D
= 28.4A
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 15A
V
DD
= 10V
I
D
= 28.4A
R
G
= 1.8
R
DS(on)
I
DSS
I
GSS
Static Drain-to-Source On-Resistance
Drain-to-Source Leakage Current
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PDF描述
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