參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU3505PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 283K
代理商： IRFU3505PBF
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
-75 -50 -25
0
25
50
75
100 125 150 175 200
TJ , Temperature ( °C )
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0
VG
ID = 250μA
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
100
200
300
400
EA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU3704PbF HEXFET Power MOSFET
IRFU9024NCPBF HEXFET POWER MOSFET
IRFR9024NCPBF HEXFET POWER MOSFET
IRFV260 TRANSISTOR N-CHANNEL(Vdss=200V, Rds(on)=0.060ohm, Id=45A*)
IRFZ24NPBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRFU3518PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 100V 38A I-PAK
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IRFU3607PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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