參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU1N60APbF
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的開(kāi)關(guān)電源
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大?。?/td> 244K
代理商： IRFU1N60APBF
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
0.88
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
9.8
–––
14
–––
18
–––
20
–––
229
–––
32.6
–––
2.4
–––
320
–––
11.5
–––
130
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 0.84A
I
D
= 1.4A
V
DS
= 400V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 250V
I
D
= 1.4A
R
G
= 2.15
R
D
= 178
,See Fig. 10
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 480V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 480V
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Avalanche Characteristics
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
14
2.7
8.1
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
pF
Parameter
Min. Typ. Max. Units
600
–––
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V, I
D
= 0.84A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
DS
= 480V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
V
(BR)DSS
R
DS(on)
V
GS(th)
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
–––
7.0
4.0
25
250
100
-100
V
V
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
nA
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
93
1.4
3.6
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Thermal Resistance
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 1.4A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 1.4A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
290
510
1.6
440
760
V
ns
nC
Diode Characteristics
1.4
5.6
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
3.5
50
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)
Junction-to-Ambient
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU210 Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=2.6A)
IRFR210 Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=2.6A)
IRFU2405PbF HEXFET Power MOSFET
IRFU24N15D SMPS MOSFET
IRFR24N15D SMPS MOSFET
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參數(shù)描述
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IRFU210A 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-251AA
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IRFU210BTLTU_FP001 功能描述:MOSFET 200V N-Ch B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU210BTU 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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