參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU120Z
廠商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述： 汽車(chē)MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 6/11頁(yè)
文件大?。?/td> 274K
代理商： IRFU120Z
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
EA
ID
TOP
0.9A
1.2
BOTTOM
5.2A
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
TJ , Temperature ( °C )
2.0
3.0
4.0
5.0
VG
ID = 250μA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU120ZPBF AUTOMOTIVE MOSFET
IRFU12N25DPBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 250V , RDS(on)max = 0.26ヘ , ID = 14A )
IRFU210PBF HEXFET POWER MOSFET
IRFU220NPBF HEXFET Power MOSFET
IRFU220PBF HEXFEP Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU120ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 8.7A 190mOhm 6.9nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU121 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 8.4A I(D) | TO-251
IRFU12N25D 功能描述:MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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IRFU130 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
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