參數(shù)資料
型號(hào)： IRFTF180-12HJ
廠商： International Rectifier
英文描述： FAST THYRISTOR/ DIODE and MAGN-A-pak Power Modules THYRISTOR/ THYRISTOR
中文描述： 快速晶閘管/二極管和磁共振-甲柏電源模塊晶閘管/晶閘管
文件頁(yè)數(shù)： 8/8頁(yè)
文件大?。?/td> 238K
代理商： IRFTF180-12HJ
IRK.F180.. Series
8
Bulletin I27100 rev. C 03/01
www.irf.com
Fig. 13 - Frequency Characteristics
Fig. 14 - Maximum On-state Energy Power Loss Characteristics
Fig. 15 - Gate Characteristics
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
P
Pulse Basewidth ( s)
Snubber circuit
R s
Cs
V = 80% V
tp
1E4
IRK.F180.. Series
Trapezoidal pulse
T = 60 C di/dt 50A/ s
DRM
E1
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
100 0
5000
150
2500
Pulse Basewidth ( s)
IRK.F180.. Series
Trapezoidal pulse
T = 60 C di/dt 100A/ s
Snubber circuit
R s
Cs
V = 80% V
tp
DRM
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
VGD
IGD
(b)
(a)
T
T
T
(2)
(3)
Instantaneous Gate Current (A)
I
a) Recommended load line for
rated di/dt : 10V, 10ohms
b) Recommended load line for
<=30% rated di/dt : 10V, 20ohms
Rectangular gate pulse
(1) PGM = 8W, tp = 25ms
(2) PGM = 20W, tp = 1ms
(3) PGM = 40W, tp = 5ms
(4) PGM = 80W, tp = 2.5ms
IRK.F180.. Series Frequency Limited by PG(AV)
(1)
(4)
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
10 joules per pulse
5
2.5
1
0.5
0.25
0.1
0.05
IRK.F180.. Series
Sinusoidal pulse
P
Pulse Basewidth ( s)
tp
1E4
E1
1E1
1E2
1E3
1E4
10 joules per pulse
5
2.5
1
0.5
0.25
0.1
0.05
Pulse Basewidth ( s)
IRK.F180.. Series
Trapezoidal pulse
di/dt 50A/ s
tp
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFTF180-12HK FAST THYRISTOR/ DIODE and MAGN-A-pak Power Modules THYRISTOR/ THYRISTOR
IRKF180 FAST THYRISTOR/ DIODE and MAGN-A-pak Power Modules THYRISTOR/ THYRISTOR
IRF1010EL RESISTOR 150 OHM 20W TO220
IRF1010EZ AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1010EZL AUTOMOTIVE MOSFET
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參數(shù)描述
IRFTF180-12HK 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:FAST THYRISTOR/ DIODE and MAGN-A-pak Power Modules THYRISTOR/ THYRISTOR
IRFTS8342PBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Industry-Standard TSOP-6 Package
IRFTS8342TRPBF 功能描述:MOSFET 30V 8.2A 19mOhm 4.8 Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFTS8342TRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH HEXFET 30V 8.2A TSOP-6 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N CH, HEXFET, 30V, 8.2A, TSOP-6
IRFTS9342PBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Industry-Standard TSOP-6 Package
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