參數(shù)資料
型號: IRFSZ14A
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: N-Channel Power MOSFET(60V,0.14Ω,8A)(N溝道功率MOS場效應(yīng)管(漏源電壓60V,導(dǎo)通電阻0.14Ω,漏電流8A))
中文描述: 8 A, 60 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/7頁
文件大?。?/td> 252K
代理商: IRFSZ14A
N-C HANNEL
POWER MOSFET
Fig 1. Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
IRFSZ14A
10
0
10
1
0
200
400
600
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
25
o
C
175
o
C
- 55
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. V
DS
= 30 V
3. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
10
-1
10
0
10
1
175
o
C
25
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
@ Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
V
GS
Top : 1 5 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
10
20
30
40
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
@ Note : T
J
= 25
o
C
V
GS
= 20 V
V
GS
= 10 V
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
0
3
6
9
12
15
0
5
10
V
DS
= 48 V
V
DS
= 30 V
V
DS
= 12 V
@ Notes : I
D
= 10.0 A
V
G
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
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PDF描述
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