參數(shù)資料
型號: IRFSL9N60APBF
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 1/9頁
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描述: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
產(chǎn)品目錄繪圖: IRF TO-262 Series Side 1
IRF TO-262 Series Side 2
標準包裝: 1,000
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 9.2A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 750 毫歐 @ 5.5A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V
功率 - 最大: 170W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: I2PAK
包裝: 管件
產(chǎn)品目錄頁面: 1529 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: *IRFSL9N60APBF