參數(shù)資料
型號: IRFSL52N15D
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 150伏時,RDS(on)的最大值\u003d 0.032ohm,身份證\u003d 50A條)
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代理商: IRFSL52N15D
IRFB/IRFS/IRFSL52N15D
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120 140
160 180
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T , Junction Temperature
( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
10V
60A
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
5.0V
300μs PULSE WIDTH
Tj = 25
°
C
TOP VGS
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
BOTTOM 5.0V
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
5.0V
300μs PULSE WIDTH
Tj = 175
°
C
TOP 15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
BOTTOM 5.0V
VGS
5.0
7.0
9.0
11.0
13.0
15.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
1.00
10.00
100.00
1000.00
ID
(
)
TJ = 25
°
C
TJ = 175
°
C
VDS = 15V
300μs PULSE WIDTH
相關PDF資料
PDF描述
IRFB52N15 Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
IRFS52N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
IRFB52N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
IRFU014 Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
IRFR014 Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFSL52N15DPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFSL5615PBF 功能描述:MOSFET Audio MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFSL5620PBF 功能描述:MOSFET Audio MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFSL59N10D 功能描述:MOSFET N-CH 100V 59A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFSL59N10DPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 100V, 59A, TO-262, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D