參數資料
型號： IRFSL3507PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數： 7/12頁
文件大小： 439K
代理商： IRFSL3507PBF
www.irf.com
7
Fig 22a.
Switching Time Test Circuit
Fig 22b.
Switching Time Waveforms
V
GS
V
DS
90%
10%
t
d(on)
t
d(off)
t
r
t
f
V
GS
Pulse Width < 1μs
Duty Factor < 0.1%
V
DD
V
DS
L
D
D.U.T
+
-
Fig 21b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 21a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
Fig 23a.
Gate Charge Test Circuit
Fig 23b.
Gate Charge Waveform
Vds
Vgs
Id
Vgs(th)
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
Fig 20.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
1K
VCC
DUT
0
L
P.W.
Period
di/dt
Diodedv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
!
!
+
-
+
+
+
-
-
-
!"#""
"#""&#
$%%
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PDF描述
IRFS38N20DTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-263AB
IRFS38N20DTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-263AB
IRFB38N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A)
IRFS38N20D RECT, 1A, 200V, ULTRAFAST, 50NS, SM
IRFSL38N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A)
相關代理商/技術參數
參數描述
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IRFSL38N20D 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A)
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