參數(shù)資料
型號： IRFSL3306PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
中文描述： 高效率同步整流開關(guān)電源
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大?。?/td> 444K
代理商： IRFSL3306PBF
2
www.irf.com
Calculated continuous current based on maximum allowable junction
temperature. Package limitation current is 75A
Repetitive rating; pulse width limited by max. junction
temperature.
Limited by T
Jmax
, starting T
J
= 25°C, L = 0.07mH
R
G
= 25
, I
AS
= 75A, V
GS
=10V. Part not recommended for use
above this value.
I
SD
≤
75A, di/dt
≤
1400A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
J
≤
175°C.
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
S
D
G
C
oss
eff. (TR) is a fixed capacitance that gives the same charging time
as C
oss
while V
DS
is rising from 0 to 80% V
DSS
.
C
oss
eff. (ER) is a fixed capacitance that gives the same energy as
C
oss
while V
DS
is rising from 0 to 80% V
DSS
.
When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material). For recom
mended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.
θ
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Parameter
Min. Typ. Max. Units
60
–––
–––
0.07
–––
3.3
2.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.7
–––
–––
4.2
4.0
20
250
100
-100
–––
V
V/°C
m
V
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Internal Gate Resistance
nA
R
G
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
gfs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Q
sync
Total Gate Charge Sync. (Q
g
- Q
gd
)
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
C
oss
eff. (ER) Effective Output Capacitance (Energy Related) –––
C
oss
eff. (TR)
Effective Output Capacitance (Time Related)
Min. Typ. Max. Units
230
–––
–––
85
–––
20
–––
26
–––
59
–––
15
–––
76
–––
40
–––
77
–––
4520
–––
500
–––
250
720
–––
880
–––
120
–––
S
nC
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
ns
pF
Diode Characteristics
Symbol
I
S
Parameter
Continuous Source Current
Min. Typ. Max. Units
–––
–––
160
A
(Body Diode)
Pulsed Source Current
I
SM
–––
–––
620
A
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
V
SD
t
rr
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
–––
31
35
34
45
1.9
1.3
V
ns
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
V
R
= 51V,
I
F
= 75A
di/dt = 100A/μs
Q
rr
Reverse Recovery Charge
nC
I
RRM
t
on
Reverse Recovery Current
Forward Turn-On Time
–––
A
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 75A
I
D
= 75A
V
DS
=30V
V
GS
= 10V
I
D
= 75A, V
DS
=0V, V
GS
= 10V
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
Conditions
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 48V , See Fig. 11
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 48V
T
J
= 25°C, I
S
= 75A, V
GS
= 0V
p-n junction diode.
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 5mA
V
GS
= 10V, I
D
= 75A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 150μA
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
I
D
= 75A
R
G
= 2.7
V
DD
= 30V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS3507PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRFSL3507PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRFS38N20DTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-263AB
IRFS38N20DTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-263AB
IRFB38N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFSL3307ZPBF 功能描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO-262 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFSL33N15D 功能描述:MOSFET N-CH 150V 33A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFSL33N15DPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, D2-PAK
IRFSL33N15DTRRP 功能描述:MOSFET N-CH 150V 33A TO-262-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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