- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄378638 > IRFS840BF (Fairchild Semiconductor Corporation) 500V N-Channel MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRFS840BF |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 500V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 500V N溝道MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 3/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 913K |
| 代理商： | IRFS840BF |
Rev. B, February 2005
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
I
0
5
10
15
20
25
30
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
※
J
= 25
℃
R
D
D
I
D
, Drain Current [A]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
Notes :
※
1. V
= 40V
2. 250μs Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
GS
V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
Bottom : 5.0 V
Notes :
※
1. 250μs Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
V
DS
= 400V
Note : I
※
D
= 8.0 A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
C
oss
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes :
※
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
-1
10
0
10
1
150
℃
Notes :
※
1. V
= 0V
2. 250μs Pulse Test
25
℃
I
D
,
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFSZ14A | N-Channel Power MOSFET（60V，0.14Ω，8A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓60V，導通電阻0.14Ω，漏電流8A）) |
| IRFSZ34A | N-Channel Power MOSFET（60V，0.04Ω，20A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓60V，導通電阻0.04Ω，漏電流20A）) |
| IRFSZ44A | N-Channel Power MOSFET（60V，0.024Ω，30A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓60V，導通電阻0.024Ω，漏電流30A）) |
| IRFU310B | 400V N-Channel MOSFET |
| IRFR310B | 400V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFS840BT | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFS841 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220VAR |
| IRFS842 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220VAR |
| IRFS843 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220VAR |
| IRFS9140 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 13.2A I(D) | SOT-186VAR |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。