參數(shù)資料
型號(hào)： IRFS4229PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： PDP SWITCH
中文描述： 等離子開關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大?。?/td> 249K
代理商： IRFS4229PBF
2
www.irf.com
S
D
G
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
BV
DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Β
V
DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
/
T
J
Gate Threshold Voltage Coefficient
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Min.
250
–––
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
83
–––
–––
100
Typ.
–––
210
42
–––
-14
–––
–––
–––
–––
–––
72
26
–––
Max. Units
–––
–––
48
5.0
–––
20
1.0
100
-100
–––
110
–––
–––
V
mV/°C
m
V
mV/°C
μA
mA
nA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Drain Charge
Shoot Through Blocking Time
g
fs
Q
g
Q
gd
t
st
S
nC
ns
E
PULSE
Energy per Pulse
μJ
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
eff.
L
D
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Effective Output Capacitance
Internal Drain Inductance
–––
–––
–––
–––
–––
4560
390
100
290
4.5
–––
–––
–––
–––
–––
pF
Between lead,
and center of die contact
nH
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
Avalanche Characteristics
Parameter
Units
E
AS
E
AR
V
DS(Avalanche)
I
AS
Single Pulse Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Voltage
Avalanche Current
mJ
mJ
V
A
Diode Characteristics
Parameter
Min.
–––
Typ.
–––
Max. Units
I
S
@ T
C
= 25°C Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
V
SD
Diode Forward Voltage
t
rr
Reverse Recovery Time
Q
rr
Reverse Recovery Charge
A
–––
–––
–––
–––
–––
–––
190
840
1.3
290
1260
V
ns
nC
45
180
–––
790
–––
–––
1390
–––
33
–––
26
–––
300
–––
Typ.
–––
Max.
130
= 1.0MHz,
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 200V
T
J
= 25°C, I
F
= 26A, V
DD
= 50V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 25°C, I
S
= 26A, V
GS
= 0V
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 26A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 250V, V
GS
= 0V
V
DS
= 250V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 25V, I
D
= 26A
V
DD
= 125V, I
D
= 26A, V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
L = 220nH, C= 0.3μF, V
GS
= 15V
V
DS
= 200V, R
G
= 4.7
,
T
J
= 25°C
L = 220nH, C= 0.3μF, V
GS
= 15V
V
DS
= 200V, R
G
= 4.7
,
T
J
= 100°C
MOSFET symbol
Conditions
V
DD
= 200V, V
GS
= 15V, R
G
= 4.7
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PDF描述
IRFS4310 HEXFET Power MOSFET
IRFB4310 HEXFET Power MOSFET
IRFSL4310 HEXFET Power MOSFET
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