參數(shù)資料
型號： IRFS38N20DTRL
廠商： International Rectifier
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直|第44A（?。﹟對263AB
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大小： 133K
代理商： IRFS38N20DTRL
IRFB/IRFS/IRFSL38N20D
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
100000
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
16
32
48
64
80
0
2
5
7
10
12
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I
=
D
26A
V
= 40V
DS
V
= 100V
DS
V
= 160V
DS
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
0.10
1.00
10.00
100.00
1000.00
IS
TJ = 25
°
C
TJ = 175
°
C
VGS = 0V
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
Tc = 25
°
C
Tj = 175
°
C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS38N20DTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-263AB
IRFB38N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A)
IRFS38N20D RECT, 1A, 200V, ULTRAFAST, 50NS, SM
IRFSL38N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A)
IRFS4229PBF PDP SWITCH
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參數(shù)描述
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IRFS38N20DTRR 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-263AB
IRFS38N20DTRRP 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 54mOhms 60nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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