參數(shù)資料
型號： IRFS350A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 11.5 A, 400 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3PF, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 231K
代理商： IRFS350A
IRFS350A
BV
DSS
= 400 V
R
DS(on)
= 0.3
I
D
= 11.5 A
400
11.5
7.3
68
±
30
1134
11.5
9.2
4.0
92
0.74
- 55 to +150
300
1.35
40
--
--
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current: 10
μ
A (Max.) @ V
DS
= 400V
Low R
DS(ON)
: 0.254
(Typ.)
$GYDQFHG 3RZHU 026)(7
Thermal Resistance
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
R
θ
JC
R
θ
JA
°
C/W
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25
°
C)
Continuous Drain Current (T
C
=100
°
C)
Drain Current-Pulsed
(1)
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(2)
Avalanche Current
(1)
Repetitive Avalanche Energy
(1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(3)
Total Power Dissipation (T
C
=25
°
C)
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8 from case for 5-seconds
Characteristic
Value
Units
V
Symbol
V
DSS
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, T
STG
T
L
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
°
C
A
°
C
TO-3PF
1.Gate 2. Drain 3. Source
3
2
1
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
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PDF描述
IRFS440B 500V N-Channel MOSFET
IRFS450A N-Channel Power MOSFET（500V，0.4Ω，9.6A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓500V，導通電阻0.4Ω，漏電流9.6A）)
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IRFS450B 500V N-Channel MOSFET
IRFS460 N-Channel Power MOSFET（500V，0.25Ω，12.4A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓500V，導通電阻0.25Ω，漏電流12.4A）)
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IRFS3806TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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