參數(shù)資料
型號： IRFS30N20DTRR
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 30A條（丁）|對263AB
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大?。?/td> 175K
代理商： IRFS30N20DTRR
IRFB/IRFS/IRFL30N20D
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
200
400
600
800
1000
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
7.3A
15A
18A
TOP
BOTTOM
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相關PDF資料
PDF描述
IRFL5505 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SOT-223
IRFM010 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | SOT-223
IRFM014 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | SOT-223
IRFM014A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | SOT-223
IRFM040 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254AA
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFS3107PBF 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS3107TRL7PP 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 260A 2.6mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS3107TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 230A 3mOhm 160nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS31N20D 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK
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