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參數(shù)資料
| 型號： | IRFRU4105 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.045ohm, Id=27A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 0.045ohm，身份證\u003d 27A條） |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 144K |
| 代理商： | IRFRU4105 |
IRFR/U4105
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
5.0 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
RG
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-VDD
DRIVER
A
15V
10V
0
20
40
60
80
100
120
140
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = 25V
I
TOP 6.5A
11A
BOTTOM 16A
D
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR4105 | 55V,27A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(55V,27A,N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管) |
| IRFU4105 | 55V,27A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(55V,27A,N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管) |
| IRFS17N20DPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFSL17N20DPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFS23N15DPBF | HEXFET㈢Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IRFRU6215 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=-150V, Rds(on)=0.295ohm, Id=-13A) |
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