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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFRU3707PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| 中文描述： | ㈢的HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 231K |
| 代理商： | IRFRU3707PBF |
IRFR/U3707PbF
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
3.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
TOP 10.0V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
5.0V
4.5V
BOTTOM 3.5V
VGS
10
100
1000
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
T = 175 C
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T , Junction Temperature( C)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
R
(
D
V
=
I =
GS
10V
61A
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
3.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
TOP 10.0V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
5.0V
4.5V
BOTTOM 3.5V
VGS
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