| 型號: | IRFR9212 |
| 英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-252AA |
| 中文描述: | 晶體管| MOSFET的| P通道| 200伏五(巴西)直| 1.6AI(四)|對252AA |
| 文件頁數(shù): | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 55K |
| 代理商: | IRFR9212 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR9221 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-252AA |
| IRFS1Z0 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 820MA I(D) | TO-243AA |
| IRFU9221 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-251AA |
| IRFR111 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4.4A I(D) | TO-252 |
| IRFR13N20DTR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-252AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFR9214 | 功能描述:MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR9214PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR9214TR | 功能描述:MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR9214TRL | 功能描述:MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR9214TRLPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |