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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFR420B |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 500V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 2.3 A, 500 V, 2.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 649K |
| 代理商： | IRFR420B |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, November 2001
I
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
μ
s
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
※
Notes :
1. Z
(t) = 3.05
℃
/W M ax.
1
/t
2
2. D uty Factor, D=t
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
single pulse
D =0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
(
t
1
, S quare W ave Pulse D uration [sec]
25
50
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
※
Notes :
1. V
= 10 V
2. I
D
= 1.25 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
t
1
P
DM
t
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU430B | 500V N-Channel MOSFET |
| IRFR430B | 500V N-Channel MOSFET |
| IRFU9010PBF | MOSFET P-CH 50V 5.3A I-PAK |
| IRFD010PBF | MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP |
| IRFD020PBF | MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFR420BTF | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR420BTM | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR420BTMBLT | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| IRFR420BTMBLT_NBEA009 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| IRFR420PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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