參數(shù)資料
型號： IRFR420APBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on) max = 3.0ヘ , ID = 3.3A )
中文描述： HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 500V及的RDS（on）最大值\u003d 3.0ヘ，身份證\u003d 3.3A）
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 235K
代理商： IRFR420APBF
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel
HEXFET
Power MOSFETs
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU420APBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on) max = 3.0ヘ , ID = 3.3A )
IRFR420A SMPS MOSFET
IRFU420A SMPS MOSFET
IRFR420PBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on) = 3.0ヘ , ID = 2.4A )
IRFU420PBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on) = 3.0ヘ , ID = 2.4A )
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參數(shù)描述
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IRFR420ATRLPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR420ATRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR420B 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
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