- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360945 > IRFR322 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | TO-252AA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRFR322 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 400V五（巴西）直| 2.6AI（四）|對252AA |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 117K |
| 代理商： | IRFR322 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
IRFR320, IRFU320 Rev. B
FIGURE 4. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
FIGURE 5. OUTPUT CHARACTERISTICS
FIGURE 6. SATURATION CHARACTERISTICS
FIGURE 7. TRANSFER CHARACTERISTICS
FIGURE 8. DRAIN TO SOURCE ON RESISTANCE vs GATE
VOLTAGE AND DRAIN CURRENT
FIGURE 9. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE ON
RESISTANCE vs JUNCTION TEMPERATURE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
I
D
,
100
100
1
10
1
0.1
1000
BY r
DS(ON)
AREA IS LIMITED
10
μ
s
100
μ
s
1ms
10ms
DC
SINGLE PULSE
T
J
= MAX RATED
T
= 25
o
C
I
D
,
0
40
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
80
120
160
1
2
3
4
5
200
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4.0V
V
GS
= 5.5V
V
GS
= 5.0V
V
GS
= 6.0V
0
0
3
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
6
9
15
I
D
,
12
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 5.5V
V
GS
= 6.0V
V
GS
= 5.0V
V
GS
= 4.0V
1
2
3
4
5
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
2
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
4
6
8
10
-2
10
1
0.1
I
D
,
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
10
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
DS
≥
350V
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
r
D
,
10
8
6
4
2
00
3
6
9
12
15
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
O
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
N
3.0
1.8
1.2
0.6
0
-40
0
40
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
120
2.4
80
160
O
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
GS
= 10V, I
D
= 1.7A
IRFR320, IRFU320
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3303TR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-252AA |
| IRFR3303TRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-252AA |
| IRFR3303TRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-252AA |
| IRFU320A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | TO-251AA |
| IRFU322 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | TO-251AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFR325 | 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET |
| IRFR330 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET |
| IRFR3303 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 33A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFR3303CPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 33A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFR3303HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 33A 3PIN DPAK - Bulk |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。