參數(shù)資料
型號(hào)： IRFR2905
廠商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述： 汽車MOSFET的
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大小： 212K
代理商： IRFR2905
2
www.irf.com
S
D
G
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
gfs
Forward Transconductance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Min.
55
–––
–––
2.0
20
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.053
–––
11.1
14.5
–––
4.0
–––
–––
–––
20
–––
250
–––
200
–––
-200
29
44
7.7
–––
12
–––
1.3
–––
14
–––
66
–––
31
–––
35
–––
4.5
–––
V
V/°C
m
V
S
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Gate Input Resistance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Internal Drain Inductance
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
L
D
nC
f = 1MHz, open drain
V
DD
= 28V
I
D
= 36A
R
G
= 15
V
GS
= 10V
ns
Between lead,
nH
6mm (0.25in.)
from package
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
1380
240
120
820
190
300
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
V
SD
Diode Forward Voltage
t
rr
Reverse Recovery Time
Q
rr
Reverse Recovery Charge
t
on
Forward Turn-On Time
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
36
A
–––
–––
240
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
–––
23
16
1.3
35
24
V
ns
nC
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 44V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 44V
V
GS
= 10V
T
J
= 25°C, I
S
= 36A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 36A, V
DD
= 28V
di/dt = 100A/μs
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 36A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 36A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
I
D
= 36A
V
DS
= 44V
Conditions
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU2905Z AUTOMOTIVE MOSFET
IRFR2905Z AUTOMOTIVE MOSFET
IRFR310 Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=3.6ohm, Id=1.7A)
IRFU310 Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=3.6ohm, Id=1.7A)
IRFR320 Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.8ohm, Id=3.1A)
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