參數(shù)資料
型號: IRFR2407
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.026ohm, Id=42A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 75V的,的Rds(on)\u003d 0.026ohm,身份證\u003d 42A條)
文件頁數(shù): 9/10頁
文件大?。?/td> 129K
代理商: IRFR2407
www.irf.com
9
IRFR/U2407
I-Pak (TO-251AA) Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
I-Pak (TO-251AA) Part Marking Information
6.73 (.265)
6.35 (.250)
- A -
6.22 (.245)
5.97 (.235)
- B -
3X
0.89 (.035)
0.64 (.025)
0.25 (.010) M A M B
2.28 (.090)
2X
1.14 (.045)
0.76 (.030)
5.46 (.215)
5.21 (.205)
1.27 (.050)
0.88 (.035)
2.38 (.094)
2.19 (.086)
1.14 (.045)
0.89 (.035)
0.58 (.023)
0.46 (.018)
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOURCE
4 - DRAIN
NOTES:
1 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH.
3 CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-252AA.
4 DIMENSIONS SHOW N ARE BEFORE SOLDER DIP,
SOLDER DIP MAX. +0.16 (.006).
9.65 (.380)
8.89 (.350)
3X
2.28 (.090)
1.91 (.075)
1.52 (.060)
1.15 (.045)
4
1 2 3
6.45 (.245)
5.68 (.224)
0.58 (.023)
0.46 (.018)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU3708 HEXFET Power MOSFET for High Frequency DC-DC Isolated Converters(用于高頻DC-DC隔離轉(zhuǎn)換器的N溝道HEXFET功率MOS場效應(yīng)管)
IRFR3708 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12.5mohm, Id=61A)
IRFU3709PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRFU3711 RES 475-OHM 1% 0.25W 100PPM THICK-FILM SMD-1206 5K/REEL-7IN-PA
IRFR3711 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.5mohm, Id=110A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFR2407PBF 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 74nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR2407TR 功能描述:MOSFET N-CH 75V 42A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFR2407TRL 功能描述:MOSFET N-CH 75V 42A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFR2407TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 42A 26mOhm 74nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR2407TRPBF 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 74nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube