參數(shù)資料
型號(hào)： IRFR220NTRL
廠商： International Rectifier
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 5A條（?。﹟對(duì)252AA
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大?。?/td> 132K
代理商： IRFR220NTRL
IRFR/U220N
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.23 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
2.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
2.6
–––
–––
15
–––
2.4
–––
6.1
–––
6.4
–––
11
–––
20
–––
12
–––
300
–––
53
–––
15
–––
300
–––
23
–––
46
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 2.9A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Avalanche Characteristics
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
23 I
D
= 2.9A
3.6
nC
9.2
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
–––
–––
–––
S
V
DS
= 160V
V
GS
= 10V,
V
DD
= 100V
I
D
= 2.9A
R
G
= 24
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 160V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 160V
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
46
2.9
4.3
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Thermal Resistance
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 2.9A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 2.9A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
90
320
1.3
140
480
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Diode Characteristics
5.0
20
A
Min. Typ. Max. Units
200
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
–––
–––
–––
–––
–––
–––
600
4.0
25
250
100
-100
m
V
V
GS
= 10V, I
D
= 2.9A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V
V
DS
= 160V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
μA
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
3.5
50
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR220NTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA
IRFR224 Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=3.8A)
IRFU224 Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=3.8A)
IRFR2307Z AUTOMOTIVE MOSFET
IRFU2307Z AUTOMOTIVE MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFR220NTRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRFR220NTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 5A 600mOhm 15nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR220NTRPBF 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR220NTRR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 5A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFR220NTRRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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