參數(shù)資料
型號： IRFR1N60A
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=7.0ohm, Id=1.4A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 600V電壓的Rds（on）最大值\u003d 7.0ohm，身份證\u003d 1.4A的）
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大小： 181K
代理商： IRFR1N60A
Parameter
Max.
1.4
0.89
5.6
36
0.28
± 30
3.8
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
°C
MOSFET
HEXFET Power MOSFET
Rds(on) max
7.0
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Uninterruptable Power Supply
Power Factor Correction
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
V
DSS
600V
I
D
1.4A
Notes
www.irf.com
through
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1
Low Power Single Transistor Flyback
D-Pak
IRFR1N60A
I-Pak
IRFU1N60A
IRFR1N60A
IRFU1N60A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU1N60A ER 6C 6#16S PIN PLUG
IRFR214 2.2A, 250V, 2.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFU214 2.2A, 250V, 2.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFU214 Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=2.2A)
IRFR214 Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=2.2A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFR1N60APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR1N60ATR 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR1N60ATRL 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFR1N60ATRLPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR1N60ATRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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