參數(shù)資料
型號(hào)： IRFPS37N50
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.13ohm, Id=36A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 500V及的Rds（on）最大值\u003d 0.13ohm，身份證\u003d 36A條）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 115K
代理商： IRFPS37N50
IRFPS37N50A
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
20
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
23
–––
98
–––
52
–––
80
–––
5579 –––
–––
810
–––
36
–––
7905 –––
–––
221
–––
400
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 22A
I
D
= 36A
V
DS
= 400V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 250V
I
D
= 36A
R
G
= 2.15
R
D
= 7.0
,See Fig. 10
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 400V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 400V
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Avalanche Characteristics
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
180
46
71
–––
–––
–––
–––
S
nC
–––
–––
pF
–––
–––
Parameter
Min. Typ. Max. Units
500
–––
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V, I
D
= 22A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
V
DS
= 400V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
V
(BR)DSS
R
DS(on)
V
GS(th)
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
–––
0.13
4.0
25
250
100
-100
V
V
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
1260
36
44
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Thermal Resistance
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 36A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 36A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
570
8.6
1.5
860
13
V
ns
μC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Diode Characteristics
36
144
A
Parameter
Typ.
–––
0.24
–––
Max.
0.28
–––
40
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFPS43N50K SMPS MOSFET(開關(guān)模式電源MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFPS43N50 Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.078ohm, Id=47A)
IRFPS60N50C SMPS MOSFET(開關(guān)模式電源MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFR220N Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=600mohm, Id=5.0A)
IRFU220N Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=600mohm, Id=5.0A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFPS37N50A 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 36 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPS37N50APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 36 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPS3810 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFPS3810HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-274AA
IRFPS3810PBF 功能描述:MOSFET 100V SINGLE N-CH 9mOhms 260nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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