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參數(shù)資料
| 型號： | IRFPG52 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-247AC |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 1KV交五（巴西）直| 5.5AI（四）|對247AC |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 485K |
| 代理商： | IRFPG52 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR014A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.2A I(D) | TO-252AA |
| IRFR034A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-252AA |
| IRFU014A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.2A I(D) | TO-251AA |
| IRFU034A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-251AA |
| IRFR015 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 6.7A I(D) | TO-252AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFPS29N60L | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 29 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFPS29N60LPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 29 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFPS30N60K | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFPS30N60KPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFPS35N50L | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET |
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