參數(shù)資料
型號: IRFPE30
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 800V的,的Rds(on)\u003d 3.0ohm,身份證\u003d 4.1a的)
文件頁數(shù): 1/6頁
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代理商: IRFPE30
相關PDF資料
PDF描述
IRFPE40 Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=2.0ohm, Id=5.4A)
IRFPE50 Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=1.2ohm, Id=7.8A)
IRFPF30 Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=3.6A)
IRFPF40 Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=2.5ohm, Id=4.7A)
IRFPF50 Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=1.6ohm, Id=6.7A)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFPE30PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPE32 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | TO-247AC
IRFPE40 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 5.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPE40PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 5.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPE42 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.8A I(D) | TO-247AC