參數(shù)資料
型號(hào)： IRFP15N60L
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 171K
代理商： IRFP15N60L
4
www.irf.com
Fig 5.
Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 8.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 7.
Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 6.
Typ. Output Capacitance
Stored Energy vs. V
DS
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
100000
C
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
Coss
Crss
0
100
200
300
400
500
600
700
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
5
10
15
20
25
E
0
10
20
30
40
50
60
70
QG Total Gate Charge (nC)
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
VG
VDS= 480V
VDS= 300V
VDS= 120V
ID= 15A
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.10
1.00
10.00
100.00
IS
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VGS = 0V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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