參數(shù)資料
型號(hào)： IRFP054
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 60V的，的Rds（on）\u003d 0.014ohm，身份證\u003d 70 *甲）
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大小： 170K
代理商： IRFP054
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP064 Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
IRFP22N50A N Channel SMPS MOSFET(N溝道開關(guān)模式電源MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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IRFP240 Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=20A)
IRFP240 20A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFP054_11 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFP054N 功能描述:MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFP054NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
IRFP054NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 72A 12mOhm 86.7nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP054PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 70 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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