參數(shù)資料
型號(hào)： IRFP048R
英文描述： 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package
中文描述： 單60V的N溝道HEXFET功率MOSFET的采用TO - 247AC封裝
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 413K
代理商： IRFP048R
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP042 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-247AC
IRFP362 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247
IRF9543 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220AB
IRF9612 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 900MA I(D) | TO-220AB
IRF9622 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFP048R_11 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFP048RPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 70 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP054 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 70 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP054_11 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFP054N 功能描述:MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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