參數(shù)資料
型號(hào)： IRFL4105
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.045ohm, Id=3.7A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 0.045ohm，身份證\u003d 3.7A）
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大?。?/td> 168K
代理商： IRFL4105
IRFL4105
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
55
–––
–––
0.058 –––
–––
––– 0.045
2.0
–––
3.8
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
23
–––
3.4
–––
9.8
–––
7.1
–––
12
–––
19
–––
12
–––
660
–––
230
–––
99
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 3.7A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 1.9A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 3.7A
V
DS
= 44V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 28V
I
D
= 3.7A
R
G
= 6.0
R
D
= 7.5
,
See Fig. 10
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
V
S
4.0
–––
25
250
100
-100
35
5.1
15
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
ns
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
I
SD
≤
3.7A, di/dt
≤
110A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
150°C
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Notes:
V
DD
= 25V, starting T
J
= 25°C, L = 16mH
R
G
= 25
, I
AS
= 3.7A. (See Figure 12)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 3.7A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 3.7A
di/dt = 100A/μs
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
55
120
1.3
82
170
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
–––
–––
–––
–––
30
1.3
A
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PDF描述
IRFL4310 Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=1.6A)
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IRFL9110 Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-1.1A)
IRFM140D TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-254VAR
IRFM140 HEXFET TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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IRFL4105PBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRFL4105TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
IRFL4105TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 3.7A 45mOhm 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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