參數(shù)資料
型號(hào)： IRFL014NTR
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | SOT-223
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 2.7AI（四）|的SOT - 223
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 174K
代理商： IRFL014NTR
IRFL014N
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
50
100
150
200
250
300
350
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
2
Q , Total Gate Charge (nC)
4
6
8
10
V
G
A
I = 1.7A
V = 44V
V = 28V
V = 11V
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 9
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
0.1
1
10
100
1
10
100
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 150°C
Single Pulse
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFL024NTR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 4A I(D) | SOT-223
IRFL1006TR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | SOT-223
IRFL30N20D TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262
IRFB30N20D TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB
IRFS30N20DTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFL014NTRPBF-CUT TAPE 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 55 V 2.1 W 7 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-223
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IRFL014TR 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFL014TRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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