- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360938 > IRFI9Z14G TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5.3A I(D) | SOT-186 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRFI9Z14G |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5.3A I(D) | SOT-186 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 60V的五（巴西）直| 5.3AI（四）|的SOT - 186 |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 381K |
| 代理商： | IRFI9Z14G |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFI9Z34N | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220FP |
| IRFIP054 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 64A I(D) | TO-247VAR |
| IRFIP150 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-247VAR |
| IRFIP244 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-247VAR |
| IRFIP254 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-247VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFI9Z14GPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFI9Z24G | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFI9Z24GPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFI9Z24N | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFI9Z34G | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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